SiC固定模拟放射性石墨的研究.pdf

《SiC固定模拟放射性石墨的研究.pdf》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、ClaSSifiedIndex：TL?41U．D．C：621SouthwestUniverSityofScienceandTechnoIogyMasterDegreeThesiSStudyofSi0SimuIatinglmmobiI-zationofRadioaotivelIlIGraphiteGrade：2011Candidate：ZhaoLingIingAcademiDegreeAppIiedfor：MaterDegreeSpeCiaIitY：MateriaIScienceSuperViS0r：Prof．TengYuanchengApr．10．20

2、14独创性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得西南科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。签名：趣瞧瞧日期：如毕。占’弓关于论文使用和授权的说明本人完全了解西南科技大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留学位论文的复印件，允许该论文被查阅和借阅；学校可以公布该论文的全部或部分内容，可以采用影印、缩印或其他复制手

3、段保存论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)签名：丧迩雌龄导师签名：日期：≯伊，妒．6·乡西南科技大学硕士研究生学位论文第1页摘要本论文用石墨来模拟放射性石墨，以硅和石墨为原料，通过固相反应合成SiC粉体，采用反应热压烧结技术制备SiC固化体，利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电子能谱(EDS)、比表面积(BET)、激光粒度分布等分析手段，研究了煅烧温度、球磨时间、保温时间、SiC晶种剂等因素对SiC粉体合成的影响，以及烧结温度、坯体致密程度、加压制度、保温加压时间等因素对SiC固化体烧结的影响，探讨固相反应合成SiC的反应机理

4、。结果表明：硅．碳直接反应合成SiC为硅和碳的相互扩散及硅的蒸发一扩散控制的非均相固相反应，硅的蒸发．扩散对合成SiC的反应速率有较大影响；烧结过程中较高致密度的坯体，合成SiC的反应速率较低；硅颗粒表面的第二相(如Si02)会严重影响硅和碳的相互扩散，降低反应速率：硅和石墨的颗粒大小会影响SiC晶粒的大小，原料颗粒越细，合成SiC的晶粒越小；掺入SiC晶种剂，对SiC的合成反应没有明显影响；硅和石墨完全反应生成SiC粉体的较佳煅烧条件为1330℃保温120min；在反应热压烧结过程中，采用先反应后加压的烧结制度有利于SiC的合成；烧结温度对SiC的合

5、成及烧结有较大影响，烧结温度越高，合成SiC的反应速率越快，过高的烧结温度(>1350℃)，会造成大量硅的挥发损失；反应热压烧结SiC的较佳烧结制度是1350℃、保温加压6h。关键词：放射性石墨；硅；SiC；固相反应；反应热压西南科技大学硕士研究生学位论文第1I页AbstractThispaperusegraphitetosimulatetheradioactivegraphite，siliconandgraphiteasrawmaterial，throughthesolidreactionsynthesisofSiCpowder，adoptreact

6、ionhotpressingsinteringtechniquetopreparedSiCbody．ThesampleSweretestedusinganalysismeanssuchasX‘raydiffractionfXRD)，scanningelectronmicroscope(SEM)，electronenergyspectrum(EDS)，specificsurfacearea(BET)，andlaserparticlesizedistribution．StudiestheeffectofSiCpowdersynthesisofthecalc

7、inedtemperature，ballgrindingtime，holdingtimeandSiCseedagent，aswellastheeffectofsinteringSiCsolidbodyofsinteringtemperature，degreeofbodydensity，pressurizationsystem，holdingpressuretime，anddisCUssesthereactionmechanismofSiCsynthesis．Theresuitsshowthat：thesilicon—carbondirectlysynt

8、hesizedSiCisheterogeneOUSsolidphasereactioncont