BP2822规格书(最新版).pdf

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1、BP2822晶丰明源半导体非隔离降压型LED恒流控制器概述特点BP2822是一款高精度的LED恒流控制芯片，应用临界模式工作，无需电感补偿于非隔离的降压型LED电源系统，适合全范围的内置600V功率MOSFET交流电压输入或者12V~600V的直流电压输入。源极驱动，无需辅助绕组供电高达±3%的LED电流精度BP2822内部集成600V功率MOSFET，只需要很少高达93%以上的系统效率的外围元件，即可实现优异的恒流特性。LED短路保护BP2822芯片内带有高精度的电流取样电路，同时CS采样电阻短路保护采用了专利的恒流控制技术，实现高精度的LED芯片过

2、温保护恒流输出和优异的线性调整率。芯片工作在电感应用电流临界模式，系统输出电流不随电感量和LED工作电压的变化而变化，实现优异的负载调整率。球泡灯蜡烛灯BP2822采用专利的源极驱动技术，芯片工作电流玉米灯只有200uA，无需辅助绕组供电，简化设计，降低景观灯系统成本。23553Q68872黄R137603电25070BP2822具有多重保护功能，包括LED短路保护、电流采样电阻短路保护和芯片过温保护。BP2822采用DIP-8封装。典型应用ACBP2822VCCDRAINLNDRAINSOURCECSGNDCS图1典型应用图1BP2822晶丰明源半导体非隔离

3、降压型LED恒流控制器定购信息定购型号封装温度范围包装形式打印BP2822管装BP2822DIP8-40℃到105℃XXXXXY50颗/管XYY管脚封装XXXXXY:lotcodeGNDCSXBX:年号LNXP2CSYY：周号X8XX2VCCYX2DRAINYYSOURCEDRAIN图2管脚封装图管脚描述管脚号管脚名称描述1GND芯片地2LN线电压补偿输入端3VCC芯片电源端，内置12.5V稳压管4SOURCE内部高压MOSFET的源极5,6DRAIN内部高压MOSFET的漏极7,8CS电流采样端，接电流检测电阻到地2BP2822晶丰明源半导体非隔离降压型LED恒流控

4、制器极限参数(注1)符号参数参数范围单位VDS内部高压MOSFET漏极到源极峰值电压-0.3~600VVICC_MAX最大电源电流5mAVLN线补偿电压-0.3~18VVSOURCE内部高压MOSFET的源极电压-0.3~18VVCS电流采样端电压-0.3~6VPDMAX功耗(注2)0.9WθJAPN结到环境的热阻80℃/WTJ工作结温范围-40to150℃TSTG储存温度范围-55to150℃ESD(注3)2KV注1：最大极限值是指超出该工作范围，芯片有可能损坏。推荐工作范围是指在该范围内，器件功能正常，但并不完全保证满足个别性能指标。电气参数定义了器件在工作范围内

5、并且在保证特定性能指标的测试条件下的直流和交流电参数规范。对于未给定上下限值的参数，该规范不予保证其精度，但其典型值合理反映了器件性能。注2：温度升高最大功耗一定会减小，这也是由TJMAX,θJA,和环境温度TA所决定的。最大允许功耗为PDMAX=(TJMAX-TA)/θJA或是极限范围给出的数字中比较低的那个值。注3：人体模型，100pF电容通过1.5KΩ电阻放电。推荐工作范围符号参数参考范围单位ILED输出LED电流<250mA3BP2822晶丰明源半导体非隔离降压型LED恒流控制器电气参数(注4,5)（无特别说明情况下，VCC=12V,TA=25℃）符号说明条件

6、最小值典型值最大值单位电源部分VCC_CLAMPVCC箝位电压12.5VIDD_CLAMPVCC箝位电流5mAVCC_ST芯片启动电压VCC上升7.58.39.1VVUVLO_HYS欠压保护迟滞VCC下降1VIST启动电流VCC=VCC_ST-0.5V70150uAIOP工作电流200uA电流采样部分VCS_TH电流检测阈值390400410mVTLEB前沿消隐时间350nsTDELAY芯片关断延迟300ns线电压补偿ΔVCS/Δ(VLN-VCC)线电压补偿比例-40mV/V过温保护TSD热关断温度150℃TSD_HYS过热保护迟滞30℃高压MOSFETRSW导通电阻

7、VCC=12V8ΩVDSS漏极到源极电压600V内部驱动TOFF_MIN最小退磁时间4usTOFF_MAX最大退磁时间130usTON_MAX最大开通时间45us注4：典型参数值为25˚C下测得的参数标准。注5：规格书的最小、最大规范范围由测试保证，典型值由设计、测试或统计分析保证。4BP2822晶丰明源半导体非隔离降压型LED恒流控制器典型参数特性启动电流对温度的变化启动电压对温度的变化欠压保护门限对温度的变化VCC箝位电压对温度的变化5BP2822晶丰明源半导体非隔离降压型LED恒流控制器电流检测门限对温度的变化线性调整率负载调整率输出电流对电感