碳化锆液相陶瓷前驱体的制备及陶瓷化-论文.pdf

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1、碳化锆液相陶瓷前驱体的制备及陶瓷化刘丹邱文丰蔡涛孙娅楠赵彤(中国科学院化学研究所,北京100190)文摘以聚锆氧烷PNZ为锆源、炔丙基酚醛PN为碳源制备了一种ZrC液相陶瓷前驱体PNZ-PN,该前驱体经1600℃热解能够转化为高度结晶的ZrC陶瓷。通过FT-IR、DSC、TGA对前驱体的固化过程及固化样的热失重行为进行了分析;通过XRD、元素分析和SEM对热解产物的晶相组成及微观形貌进行了分析。结果表明:1200℃以下,热解产物主要是ZrO,,1400℃时开始发生碳热还原反应出现结晶度较小的zrI二,经1600

2、~C热解后可完全转化为ZrC;PN的加入量会影响热解过程中陶瓷样品的ZrO晶相及1600oC热解产物的碳含量,通过调整PN的加入量最终可得到自由碳含量1.66%、近似纯相的ZrC陶瓷;得到的陶瓷粒子zr、c元素分布均匀、粒径主要分布为100~200nm。关键词碳热还原反应,固化,热解,微观形貌中图分类号:TQ32DOI:10.3969/i.issn.1007-2330.2014.01.016PreparationandCeramizationofLiquidZrCPrecursorLIUDanQIUWenfen

3、gCAITaoSUNYananZHAOTong(InstituteofChemistry,ChineseAcademyofSciences,Beijing100190)AbstractAnovelliquidprecursorforzrCwaspreparedbyblendingofpolyzircon0xanesal(PNZ)andproparg—ylmodifiednovolacresin(PN).TheprecursorcouldbeconvertedintoZuponheattreatmentat160

4、0oC.Thecross—linkingbehaviorofPNZ—PNprecursorwascharacterizedbyFr—IRandDSC.ThethermalstabilityofthecuredPNZ—PNwasevaluatedbyTGA.ThemicrostructureandcomponentsoftheceramicsampleswereanalyzedbyXRD.SEMandelementsanalysis.Theresultsshowedthattheceramicsamplecons

5、istedofZrO,belowl200oCandlowcrystallineZappearedinitiallyat1400℃duetocarbothermalreduction.Atl600oC.theZrO,couldbeconvertedintopureZcompletely.TheZrOcrystallinephaseandcarboncontentinl600oCceramicsamplescouldbecontrolledbytheamountofPNtogetnearpurephaseZrCwi

6、thfreecarbon0f1.66%.TheZr.andCelementsarewelldistributedintheceramicsampleconsistedofhighcrystallinedegreesofZrCparticleswithasizedistributionof100to200nm.KeywordsCarbothermalreduction,Cross.1inkingbehavior,Pyrolysis,Microstructure0引言ZrO,与碳反应的还原合成法、金属zr与碳反应的

7、化近年来,超高温陶瓷材料成为各国研究者的研究合法及气相沉积法等,但存在制备温度高、粉体粒径热点,并受到广泛的关注_1j。超高温陶瓷材料包括比较大,烧结活性差、难于加工等缺陷J。溶胶凝难熔金属氧化物、碳化物和硼化物等,已成为新型超胶法是液相法中制备超细ZrC粉体普遍采用的一种高速飞行器最具前景的候选材料娟j。ZrC成为目前方法,其制成温度低、粒子分布均匀,但体系的稳定较最受关注的超高温材料之一9。ZrC优异的性能差且制备工艺时间长、成本高引。液相前驱体转使其在切割刀具、耐磨部件、核燃料行业、陶瓷基复合化法对设备要

8、求简单,能大大缩短工艺周期,可在较材料等领域具有广泛的应用_lHJ。低温度下将有机物转化为无机陶瓷,是一种极具发展目前,制备ZrC多采用固相法和气相法,主要有潜力的制备方法_l。收稿日期:2013—10-30作者简介:刘丹,1986年出生,硕士,主要从事超高温陶瓷前驱体的制备。E—mail:liudanyg@iccas.ac.cn通讯作者:邱文丰,E—mail:qiuwf@iccas.

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