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1、资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。第14章1、半导体中的载流子:自由电子和空穴。N型半导体的多数载流子:自由电子P型半导体的多数载流子:空穴2、PN结的特点:单向导电性,正向导通反向截止3、稳压二极管工作在反向击穿区4、三极管的结构结构特点：（三层两结）集电区：搀杂浓度较低,集电极尺寸较大C基区：最薄，集电结掺杂浓度最低N基极BPN发射结E发射区：掺发射极杂浓度最高5、三极管的工作状态:（1）放大状态:晶体管相当与通路条件:发射结正偏、集电结反偏（2）饱和状态:晶体管相当与短路条件:发射结正
2、偏、集电结正偏(3)截止状态:晶体管相当与开路条件:发射结反偏、集电结反偏资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。6、三极管输出特性:分为放大区、饱和区、截止区习题1、半导体二极管的理想特性是:外加_正向电压时导通,外加反向电压时截止。2、晶体管工作在饱和状态下相当于短路,在截止状态下相当于开路。3、三极管的内部结构是有发射区、基区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极、集极。4、稳压二极管的正常工作状态是(C)A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态D、任意状态5
3、、正弦电流经二极管整流后的波形为(C)A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍为正弦波6、二极管有1个PN结二极管的主要特性是单相导电性三极管有2个PN结,三极管的主要作用是电流放大。7、三极管的三种工作状态是放大截止饱和。8、三极管具有电流放大能力必须满足的外部条件(C)。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏9、二级管的正向电阻(B)反向电阻(A)。A、大B、小10、锗二极管的导通电压(C)死区电压(B)。硅二极管的导通电压(A)电压(D)。死
4、区A、0.7VB、0.2VC、0.3VD、0.5V11、稳压管(C)A、是二极管B、不是二极管C、是特殊的二极管10、稳压管工作在(C)状态。资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。A、正向导通B、反向截止C、反向击穿12、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V内阻为零的电池正向连接该管(D)A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏13、工作在放大区的某三极管当IB从20uA增大到40uA时Ic从1mA变为2mA则它的电流放大倍数约为(B)A、10B、50C、10014、NP
5、N型和PNP型晶体管的区别是(C)。A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同15、某晶体管的发射极电流等于1mA基极电流等于20uA则它的集电极电流等于(A)mA.A、0.98B、1.02C、0.8D、1.216、图7-1示电路中,稳压管DZ1的稳定电压为8V,DZ2的稳定电压为10V,正向压降均为0.7V,图中输出电压Uo为(C)。(A)18V(B)10.7V(C)8.7V(D)2V图7-117、一个NPN型晶体三极管,三个极的电位分别为UC8V,UE3V,UB3.7V,则该晶体三极
6、管工作在(C)。(A)截止区(B)饱和区(C)放大区(D)击穿区资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。18、如图电路中,E5V,Ui10sintV,二极管的正向压降忽略不计,试分别画出输出电压UO的波形。19、在图3-2所示电路中,D12为理想二极管,U1=U2=2V,ui=3sinwtV,试画和D出输出电压uo的波形。资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。解:uo2wt－220、有两个稳压管DZ1和DZ2,其稳定电压分别为5.5V和8.5V,正向压降是0.5V。如果要得
7、到3V、9V和14V几种稳压电压,这两个稳压二极管(还有限流电阻)应该·如何连接?画出各个电路图。+++R2R1R1DZ1Ui+Uo-UiUoDZ2DZ1DZ2---资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。++R1DZ1UiUoDZ2--第15章:基本放大电路1、静态分析(1)直流通路的画法例：画出下图放大电路的直流通路对直流信号电容C可看作开路（即将电容断开）+UCC+UCCR断开RBCC2RC断开RBi+C1C+ICiBIB++TuCET+++UCER+SuBE–RLuoUBE–ui––+iE
8、–直流通路IEes––直流通路用来计算静态工作点Q(IB、IC、UCE)(2)静态工作点的确定资料内容仅供您学习参考，如有不当或者侵权，请联系改正或者删除。15.2.1用估算法确定静态值1.直流通路估算IB由KVL:UCC=IBRB+UBE+UCCRBRC所以IBUCCUBEICRB+IB当UBE<
