电子技术总复习例题

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1、第14章1、半导体中的载流子：自由电子和空穴。N型半导体的多数载流子：自由电子P型半导体的多数载流子:空穴2、PN结的特点：单向导电性，正向导通反向截止3、稳压二极管工作在反向击穿区4、三极管的结构5、三极管的工作状态：（1）放大状态：晶体管相当与通路条件：发射结正偏、集电结反偏53（1）饱和状态：晶体管相当与短路条件：发射结正偏、集电结正偏（3）截止状态：晶体管相当与开路条件：发射结反偏、集电结反偏6、三极管输出特性：分为放大区、饱和区、截止区习题1、半导体二极管的理想特性是：外加_正向电压时导通，外加反向

2、电压时截止。2、晶体管工作在饱和状态下相当于短路，在截止状态下相当于开路。3、三极管的内部结构是有发射区、基区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极、集极。4、稳压二极管的正常工作状态是（C）A、导通状态B、截止状态C、反向击穿状态D、任意状态5、正弦电流经二极管整流后的波形为（C）A、矩形方波B、等腰三角波C、正弦半波D、仍为正弦波6、二极管有1个PN结二极管的主要特性是单相导电性三极管有2个PN结，三极管53的主要作用是电流放大。7、三极管的三种工作状态是放大截止饱和。8、

3、三极管具有电流放大能力必须满足的外部条件（C）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结反偏、集电结反偏C、发射结正偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏9、二级管的正向电阻（B）反向电阻（A）。A、大B、小10、锗二极管的导通电压（C）死区电压（B）。硅二极管的导通电压（A）死区电压（D）。A、0.7VB、0.2VC、0.3VD、0.5V11、稳压管（C）A、是二极管B、不是二极管C、是特殊的二极管10、稳压管工作在（C）状态。A、正向导通B、反向截止C、反向击穿12、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V内

4、阻为零的电池正向连接该管（D）A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏13、工作在放大区的某三极管当IB从20u53A增大到40uA时Ic从1mA变为2mA则它的电流放大倍数约为(B)A、10B、50C、10014、NPN型和PNP型晶体管的区别是(C)。A、由两种不同材料硅和锗制成的B、掺入杂质元素不同C、P区和N区的位置不同15、某晶体管的发射极电流等于1mA基极电流等于20uA则它的集电极电流等于(A)mA.A、0.98B、1.02C、0.8D、1.216、图7-1示电路中，稳压管DZ1的

5、稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为10V，正向压降均为0.7V，图中输出电压Uo为（C）。(A)18V(B)10.7V(C)8.7V(D)2V图7-117、一个NPN型晶体三极管，三个极的电位分别为，，，则该晶体三极管工作在（C）。53(A)截止区(B)饱和区(C)放大区(D)击穿区18、如图电路中，，二极管的正向压降忽略不计，试分别画出输出电压UO的波形。19、在图3-2所示电路中，D1和D2为理想二极管，U1=U2=2V，ui=3sinwtV，试画出输出电压uo的波形。53解：20、有两个稳压管和，其稳定

6、电压分别为5.5V和8.5V，正向压降是0.5V。如果要得到3V、9V和14V几种稳压电压，这两个稳压二极管（还有限流电阻）应该·如何连接？画出各个电路图。53第15章：基本放大电路1、静态分析（1）直流通路的画法（2）静态工作点的确定53532、动态分析（1）交流通路的画法5353输入电阻的计算：输出电阻的计算：共射极放大电路特点：1.放大倍数高;2.输入电阻低;3.输出电阻高.3、534、分压式偏置放大电路RB1RCC1C2RB2CERERLI1I2IB++++UCCuiuo++––ICRSeS+–对交流

7、：旁路电容CE将RE短路，RE不起作用，Au，ri，ro与固定偏置电路相同。53无旁路电容CE有旁路电容CEAu减小分压式偏置电路ri提高ro不变5、共集放大电路53输入电阻：输出电阻53基本习题1、在共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位（B）。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定2、在单级共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位（A）。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定3、既能放大电压，也能放大电流的是（A）组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定4、可

8、以放大电流，但不能放大电压的是（B）组态放大电路。A.共射53B.共集C.共基D.不确定5．射随器适合作多级放大电路的输出级，是因为它的（C）A.电压放大倍数近似为1B.Ri很大C.RO很小6．用直流电压表测得放大电路中的三极管的三个电极电位分别是V1=2.8V,V2=2.1V,V3=7V,那么此三极管是（A）型三极管，V1=2.8V的那个极是（D），V2=2.1V的那个极是（C），V3=7V的那个