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1、第1章集成电路的基本制造工艺1.6一般TTL集成电路与集成运算放大器电路在选择外延层电阻率上有何区别?为什么?答：集成运算放大器电路的外延层电阻率比一般TTL集成电路的外延层电阻率高。第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应复习思考题2.2利用截锥体电阻公式，计算TTL“与非”门输出管的，其图形如图题2.2所示。提示：先求截锥体的高度然后利用公式：，注意：在计算W、L时,应考虑横向扩散。2.3伴随一个横向PNP器件产生两个寄生的PNP晶体管，试问当横向PNP器件在4种可能的偏置情况下，哪一种偏置会使得寄生晶体管
2、的影响最大?答：当横向PNP管处于饱和状态时，会使得寄生晶体管的影响最大。2.8试设计一个单基极、单发射极和单集电极的输出晶体管，要求其在20mA的电流负载下，≤0.4V，请在坐标纸上放大500倍画出其版图。给出设计条件如下：答：解题思路⑴由、求有效发射区周长；⑵由设计条件画图①先画发射区引线孔；②由孔四边各距画出发射区扩散孔；③由先画出基区扩散孔的三边；④由画出基区引线孔；⑤由画出基区扩散孔的另一边；13⑥由先画出外延岛的三边；⑦由画出集电极接触孔；⑧由画出外延岛的另一边；⑨由画出隔离槽的四周；⑩验证所画
3、晶体管的是否满足的条件，若不满足，则要对所作的图进行修正，直至满足的条件。（及己知）第3章集成电路中的无源元件复习思考题3.3设计一个4kΩ的基区扩散电阻及其版图。试求：(1)可取的电阻最小线宽=?你取多少?答：12μm(2)粗估一下电阻长度，根据隔离框面积该电阻至少要几个弯头?答：一个弯头 第4章晶体管晶体管逻辑(TTL)电路复习思考题4.4某个TTL与非门的输出低电平测试结果为=1V。试问这个器件合格吗?上机使用时有什么问题?答：不合格。4.5试分析图题4.5所示STTL电路在导通态和截止态时各
4、节点的电压和电流，假定各管的=20,和一般NPN管相同，=0.55V,=0.4～0.5V,=0.1～0.2V。答：（1）导通态（输出为低电平），，，，，13，，，，，，，（2）截止态（输出为高电平），，，，，，与有关4.7要求图题4.7所示电路在低电平输出时带动20个同类门，试计算输出管的集电极串联电阻的最大值,max是多少?答：244.8试分析图题4.8所示两种电路在逻辑功能上的差别及产生差别的原因，并写出F，F′的逻辑表达式。答：,4.9写出图题4.9所示电路的输入与输出的逻辑关系。答：4.11写出图
5、题4.11所示电路的Q与A，B的逻辑关系，并说明为什么输出级一定要用有源泄放电路。答：第5章发射极耦合逻辑(ECL)电路不做习题13第6章集成注入逻辑()电路不做习题第7章MOS反相器复习思考题7.1已知一自举反相器如图题7.1所示，其负载管的W/L=2，设其他参数为=0.7V,=5V,，忽略衬底偏置效应。(1)当时，欲使=0.3V，驱动管应取何尺寸?答：7.2有一E/DNMOS反相器，若=2V,=-2V,=25,=5V。(1)求此反相器的逻辑电平是多少?答：第8章MOS基本逻辑单元复习思
6、考题8.2图题8.2为一E/DNMOS电路。(1)试问此电路可实现何种逻辑运算?答：(2)设,,，输入高电平为，输入低电平为。求各种输入情况下电路的直流工作状态、各结点电位、各支路电流及直流功耗。答：⑴设端，而A端又分两种情况：13①输入高电平②输入低电平⑵设端，而A端又分两种情况：①输入高电平②输入低电平138.3二输入的E/DNMOS或非门的电路参数为：=-3V，=1V，，，，，试计算最坏情况的值和最好情况的值。答：8.4说明图题8.4的电路均为三态输出门，用传输门逻辑推导电路的逻辑表达式。答：（
7、a）（b）（c）第9章MOS逻辑功能部件复习思考题9.1试画出传输门结构的一位八选一多路开关的电路图，写出逻辑表达式和真值表。答：逻辑表达式9.4如果图题9.4(a)反相器是有比的，试画出此电路各节点工作波形，分析其功能；如果图题9.4(b)中M-1和M-2为无比的，分析此电路能否工作?为什么?13答：提示：9.4(a)画电路各节点工作波形时，注意输出波形的低电平是由两次形成的。此电路实施反相器功能。题9.4(b)中和若为无比，无法反相器功能。9.5分析图题9.5所示的两相动态电路的逻辑功能，并说明各
8、级电路分别是有比的还是无比的。假如图中，；从，，试画出图中,A,B,C,D和各点的波形图答：该电路为具有保持功能的多路选通开关。该电路中除最后一级为无比电路外，余下均为有比电路。注意：有的波形的低电平由两次形成。第10章存储器复习思考题 本章无答案第11章接口电路不做习题第12章模拟集成电路中的基本单元电路复习思考题12.1试求图题12.1所示达林顿管放大器的电压增益答：若忽略，
