2013-2014学年山西省太原市山大附中高二(上)期中物理试卷(理科).docx

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1、2013-2014学年山西省太原市山大附中高二（上）期中物理试卷（理科）学校:___________姓名：___________班级：___________考号：___________一、单选题(本大题共2小题，共8.0分)1.真空中两个相同的金属小球A和B，带电荷量分别为QA=2×10-8C和QB=4×10-8C，相互作用力为F，若将两球接触后再放回原处，则它们之间的作用力将变为（）A.FB.FC.FD.F2.关于电场强度和电势，下列说法正确的是（）A.由公式E=可知E与F成正比，与q成反比B.由公式U=Ed可知，在匀强电场中，E为恒值，任意

2、两点间的电势差与这两点间的距离成正比C.电场强度为零处，电势不一定为零D.无论是正电荷还是负电荷，当它在电场中移动时，若电场力做功，它一定是从电势高处移到电势低处，并且它的电势能一定减少二、多选题(本大题共1小题，共4.0分)3.图中实线是一簇未标明方向的由点电荷产生的电场线，虚线是某一带电粒子通过该电场区域的运动轨迹，a、b是轨迹上的两点．若带电粒子在运动中只受电场力作用，根据此图可作出正确判断的是（）A.带电粒子所带电荷的符号B.带电粒子在a、b两点的受力方向C.带电粒子在a、b两点的速度a处较大D.带电粒子在a、b两点的电势能a处较大三、

3、单选题(本大题共2小题，共8.0分)4.如图所示，粗糙程度均匀的绝缘斜面下方O点处有一正点电荷，带负电的小物体以初速度v1从M点沿斜面上滑，到达N点时速度为零，然后下滑回到M点，此时速度为（v＜v）．若小物体电荷量保持不变，OM=ON，则（）1v22A.小物体上升的最大高度为B.从N到M的过程中，小物体的电势能逐渐减小C.从M到N的过程中，电场力对小物体先做负功后做正功D.从N到M的过程中，小物体受到的摩擦力和电场力均是先增大后减小5.一平行板电容器充电后与电源断开，负极板接地．两板间有一个正检验电荷固定在P点，如图所示，以C表示电容器的电容、

4、E表示两板间的场强、φ表示P点的电势，W表示正电荷在P点的电势能，若正极板保持不动，将负极板缓慢向右平移一小段距离l0的过程中各物理量与负极板移动距离x的关系图象中正确的是高中物理试卷第1页，共5页（）A.B.C.D.四、多选题(本大题共1小题，共4.0分)6.如图所示，在场强大小为E的匀强电场中，一根不可伸长的绝缘细线一端拴一个质量为m、电荷量为q的带负电小球，另一端固定在O点．把小球拉到使细线水平的位置A，然后将小球由静止释放，小球沿弧线运动到细线与水平成θ=60°的位置B时速度为零．以下说法正确的是（）A.小球重力与电场力的关系是mg=E

5、qB.小球重力与电场力的关系是Eq=mgC.球在B点时，细线拉力为T=mgD.球在B点时，细线拉力为T=2Eq五、单选题(本大题共1小题，共4.0分)7.一安培表由电流表G与电阻R并联而成．若在使用中发现此安培表读数比准确值稍小些，下列可采取的措施是（）A.在R上串联一个比R小得多的电阻B.在R上串联一个比R大得多的电阻C.在R上并联一个比R小得多的电阻D.在R上并联一个比R大得多的电阻六、多选题(本大题共2小题，共8.0分)8.在如图所示的电路中，电源电动势为E、内电阻为r，将滑动变阻器的滑片P从图示位置向右滑动的过程中，关于各电表示数的变化

6、，下列判断中正确的是（）A.电压表V的示数变大B.电流表A2的示数变小1的示数变小D.电流表A的示数变大C.电流表A9.使用多用电表的欧姆挡测电阻时，下列说法正确的是（）A.测量前应检查指针是否停在“Ω”刻度线的“∞”处B.每一次换挡，都要重新进行一次调零C.在外电路，电流从红表笔流经被测电阻到黑表笔D.测量时，若指针偏转很小（靠近∞附近），应换倍率更大的挡进行测量七、单选题(本大题共1小题，共4.0分)10.如图所示，每个电阻的阻值都是2欧，安培表内阻不计，在B、C间加6伏电压时，安培表的示数是（）A.0安B.1安C.2安D.3安八、多选题(

7、本大题共1小题，共4.0分)11.电阻R1和R2的伏安特性曲线如图甲．把R1和R2串联接成图乙所示的电路．则下面说法正确的是（）A.由甲图可知R1＞R2B.由甲图可知R1＜R2C.调节R0，一定可以使R1、R2上的电压相等D.两电阻消耗的功率之比与电源电动势和内电阻无关高中物理试卷第2页，共5页九、单选题(本大题共1小题，共4.0分)12.硅光电池作为电源已广泛应用于人造卫星、灯塔和无人气象站等，高速公路上安装的“电子眼”通常也采用硅光电池供电．硅光电池的原理如图所示，a、b是硅光电池的两个电极，P、N是两块硅半导体，E区是两块半导体自发形成的

8、匀强电场区，P的上表面镀有一层增透膜．光照射到半导体P上，使P内受原子束缚的电子成为自由电子，自由电子经E区电场加速到达半导体N，从而产生电动势，形成