电子技术总复习1

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1、电子技术总复习1（1）.会看：定性分析（2）.会算：定量计算考查分析问题的能力（3）.会选：电路形式、器件、参数（4）.会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA考查解决问题的能力－－设计能力考查解决问题的能力－－实践能力综合应用所学知识的能力考试考查要求214章二极管和晶体管（一）掌握PN结的单向导电性（二）掌握二极管的伏安特性、主要参数及基本应用（三）掌握稳压管的稳压作用、主要参数及应用（四）理解三极管的特性曲线、主要参数、放大作用和开关作用。会分析三极管的三种工作状态。一、基本要求及主要内容3（一）掌握PN结的单向导电性。正向特性反向特性◆◆外电场削弱内电场，P

2、N结电阻小，电流大，导通；I的大小与外加电压有关；外电场增强内电场，结电阻大，反向电流很小，截止；I反的大小与少子的数量有关，与温度有关。P（+），N（-）P（-），N（+）PN结的单向导电性4（二）掌握二极管的伏安特性、主要参数及基本应用。1.伏安特性uiU(BR)0UonIS20℃开启电压反向饱和电流击穿电压材料开启电压导通电压反向饱和电流硅Si0.5V0.5~0.8V1µA以下锗Ge0.1V0.1~0.3V几十µA52.主要参数最大整流电流IOM最大反向工作电压URM最大反向电流IRM3.二极管的特点单向导电性4.二极管的应用6理想二极管U>0，D导通；UD=0

3、，I取决于外电路；相当于一个闭合的开关EDIUDEIUU0，D截止；I=0，UD（负值）取决于外电路；相当于一个断开的开关EDI反UDEI反U7例：如何用万用表测量二极管的好坏，并判断极性？1.选择欧姆档2.好坏判断：3.阳极、阴极判断：81.结构与伏安特性基本同二极管（击穿可逆）（三）掌握稳压管的稳压作用、主要参数及应用。2.稳压管的特点稳定电压3.稳压管的参数稳定电压UZ稳定电流IZ（IZmin)最大允许功耗—IZmax动态电阻rZUIUZIZminIZmax正向导通电压UD9稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。UODZRRL+－R---串联在稳压电路中；

4、---必不可少！---取值合适（使稳压管工作在击穿区）R---限流电阻---调整电阻4.稳压管的应用电路10例：两只硅稳压管，UZ1=6V,UZ2=3V,两管串联可得几种电压数值？画出电路。已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图示电路中UO1和UO2各为多少伏。11（四）理解三极管的结构、特性曲线、主要参数、放大作用和开关作用。会分析三极管的三种工作状态。1.晶体管的结构及类型BB（P）C（N）IBIEICNPN型三极管E（N）IBIEICPNP型三极管C（P）B（N）E（P）12死区电压，硅管0.5V，锗管0.2ViB(A)uBE(

5、V)204060800.40.8UCE1VUBEIB工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V(1)输入特性曲线ECBiBuBE+-2.晶体管的共射特性曲线13——三个工作区域②放大区：线性区特点：IC=βIB；特点：IB≤0，IC≤ICEO≈0③饱和区：特点：IC≦βIB。饱和管压降：UCE(sat)≈0.1V，IC取决于外电路。uCEiC0IB=0IB1IB2IB3IB4IB5放大区截止区饱和区条件：发射结反偏(UBE≤UT)。①截止区：的区域。条件：发射结正偏(UBE≤UT)，集电结反偏(UCE>UBE)条件：发射结正偏，集电结正偏(

6、UCE

7、UBE

8、＝0.2V，饱和管压降

9、UCES

10、＝0.1V；稳压管的稳定电压UZ＝5V，正向导通电压UD＝0.5V。试问：当uI＝0V时uO＝？当uI＝－5

11、V时uO＝？解：uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5VuI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V17(一）理解放大电路的组成原则及工作原理。15章基本放大电路（三）掌握放大电路的分析方法：（二）理解放大电路的主要性能指标及物理意义。（四）掌握三种接法的晶体管基本放大电路的结构、特点、分析。（五）了解多级放大电路的耦合方式及特点，了解多级放大器的分析计算方法。（六）理解差分放大电路、互补对称放大电路的结构、特点、应用。一、基本要求及主要内容18(一）理解放大电路的组成原则及工作原理。1.放大的概念放大的目的：将微弱的电信号不失真的放大