eda设计与应用ppt第2章

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1、第2章FPGA/CPLD器件2.1PLD器件概述2.2PLD的基本原理与结构2.3低密度PLD的原理与结构2.4CPLD的原理与结构2.5FPGA的原理与结构2.6FPGA/CPLD的编程元件2.7边界扫描测试技术2.8FPGA/CPLD的编程与配置2.9FPGA/CPLD器件概述2.10FPGA/CPLD的发展趋势内容第2章FPGA/CPLD器件2.1PLD器件概述PLD的发展历程熔丝编程的PROM和PLA器件AMD公司推出PAL器件GAL器件FPGA器件EPLD器件CPLD器件内嵌复杂功能模块的SoPC◆1985年，美国Xilin

2、x公司推出了现场可编程门阵列（FPGA，FieldProgrammableGateArray）◆CPLD（ComplexProgrammableLogicDevice），即复杂可编程逻辑器件，是从EPLD改进而来的。PLD的发展PLD的集成度分类一般将GAL22V10（500门~750门）作为简单PLD和高密度PLD的分水岭四种SPLD器件的区别PLD器件按照可以编程的次数可以分为两类：(1)一次性编程器件（OTP，OneTimeProgrammable）(2)可多次编程器件OTP类器件的特点是：只允许对器件编程一次，不能修改，而可多

3、次编程器件则允许对器件多次编程，适合于在科研开发中使用。按编程特点分类(1)熔丝（Fuse）(2)反熔丝（Antifuse）编程元件(3)紫外线擦除、电可编程，如EPROM。(4)电擦除、电可编程方式，(EEPROM、快闪存储器（FlashMemory）），如多数CPLD(5)静态存储器（SRAM）结构，如多数FPGA按编程元件和编程工艺分类非易失性器件易失性器件PLD器件的原理结构图2.2PLD的基本原理与结构数字电路符号表示数字逻辑电路的两种国标符号对照PLD电路符号表示PLD的输入缓冲电路PLD与阵列表示PLD或阵列表示PLD连

4、接表示法2.3低密度PLD的原理与结构PROMPROM的逻辑阵列结构PROMPROM表达的PLD阵列图PROM用PROM完成半加器逻辑阵列PLAPLA逻辑阵列示意图PALPAL结构PAL的常用表示PALPAL22V10部分结构图GALGAL22V10的结构（局部）GAL22V10的OLMC结构CPLD器件的结构2.4CPLD的原理与结构CPLD器件宏单元内部结构示意图典型CPLD器件的结构MAX7000S器件的内部结构MAX7000S器件的宏单元结构MispLSI1032器件的GLB的结构XC9500器件的宏单元结构2.5FPGA的原

5、理与结构查找表结构查找表原理查找表结构4输入LUT及内部结构图FPGA器件的内部结构示意图典型FPGA的结构XC4000器件的CLB结构Cyclone器件的LE结构（普通模式）典型FPGA的结构1．熔丝(Fuse)型器件2．反熔丝(Anti-fuse)型器件3．EPROM型，紫外线擦除电可编程4．EEPROM型6．SRAM型5．Flash型2.6FPGA/CPLD的编程元件边界扫描电路结构为了解决超大规模集成电路（VLSI）的测试问题，自1986年开始，IC领域的专家成立了“联合测试行动组”（JTAG，JointTestActionG

6、roup），并制定出了IEEE1149.1边界扫描测试（BST，BoundaryScanTest）技术规范2.7边界扫描测试技术引脚描述功能TDI测试数据输入(TestDataInput)测试指令和编程数据的串行输入引脚。数据在TCK的上升沿移入。TDO测试数据输出(TestDataOutput)测试指令和编程数据的串行输出引脚，数据在TCK的下降沿移出。如果数据没有被移出时，该引脚处于高阻态。TMS测试模式选择(TestModeSelect)控制信号输入引脚，负责TAP控制器的转换。TMS必须在TCK的上升沿到来之前稳定。TCK测试

7、时钟输入(TestClockInput)时钟输入到BST电路，一些操作发生在上升沿，而另一些发生在下降沿。TRST测试复位输入(TestResetInput)低电平有效，异步复位边界扫描电路(在IEEE规范中，该引脚可选)。边界扫描IO引脚功能边界扫描数据移位方式2.8FPGA/CPLD的编程与配置未编程前先焊接安装减少对器件的触摸和损伤不计较器件的封装形式系统内编程--ISP样机制造方便支持生产和测试流程中的修改在系统现场重编程修改允许现场硬件升级迅速方便地提升功能ISP功能提高设计和应用的灵活性下载接口引脚信号名称引脚123456

8、78910PS模式DCKGNDCONF_DONEVCCnCONFIG-nSTATUS-DATA0GNDJATG模式TCKGNDTDOVCCTMS---TDIGND2.8FPGA/CPLD的编程与配置USB-Blaster