高温固相反应合成硼化钨粉体.pdf

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1、第43卷第8期稀有金属材料与工程、,01.43.No.82014笠8月RAREMETALIATERIALSANDENGINEERINGAugust2014高同t泪rm.固相1’甘反应合成硼化钨粉体曹晓舟,薛向欣,杨合,李海涛2,王慧颖,史笠含(1.东北大学,辽宁沈阳110819)(2.沈阳飞机设计研究所,辽宁沈阳110819)摘要:以硼和钨为原料在真空碳管炉中进行高温合成硼化钨,研究了BAV摩尔比、温度及合成时间对产物的影响。采用XRD、SEM对产物的物相组成与微观形貌进行分析,结果表明:当B/W摩尔比为2时产物主要为WB与WB2

2、,当B/W摩尔比增加至2.5,且温度在1400℃以上可以得到纯度较高的WB2;当B/W摩尔比大于4时,产物主要为WB2与WB,WB的相对含量随反应时间的延长而增加。根据产物的形貌,物相组成和能谱分析建立了WB的合成路径示意图。关键词:硼化钨;固相合成;微观结构中图法分类号:TF123.31文献标识码:A文章编号:1002.185X(2014)08.1987.04W-B系化合物具有高熔点、高硬度、高电导率以≥99.5%),硼粉(粒度75“m,纯度≥95%,丹东化及对不同类型介质的高耐腐蚀性和抗氧化性,这些优工研究所),氮化硼粉末(纯

3、度≥99%,丹东化工研究良的特性使得W-B系化合物可以在恶劣的环境中得所),无水乙醇(纯度≥99.7%)。到广泛的应用,例如可作为高温耐蚀电极材料、熔铸将硼粉与钨粉分别按摩尔比2:1、2.5:1、4:1、4.5:1,模具、坩埚等Ll】。W-B系化合物主要包括w2B、WB、以无水乙醇作为球磨液体介质,置于含有聚酯球的聚WB2、W2B4、WB4、WB12,通过采用第一性原理计算氨酯球磨罐中混合24h。所得混合物加入5%聚乙烯醇得到WB2和WB4的硬度值分别为43.8和46.2GPa,溶液作为粘结剂混合均匀。在钢制模具中100MPa压具

4、有超硬度,属于超硬材料[2,3]。另外由于硼元素具有力下压制成型,得到直径15mm的素坯。将样品置于高的中子吸收截面及吸收中子能量范围宽的优点,是石墨坩埚中,为了避免样品组分与石墨发生反应,在一种良好的中子吸收剂,而重金属元素w对射线具石墨坩埚内壁刷上一层BN粉,然后置于真空碳管炉有很好的防护效果,因此W.B系化合物可能成为兼具中于10。/min的升温速率升温至目标温度保温,保温中子和),射线综合屏蔽性能的新型辐射防护材料。结束后随炉冷却至室温后取出样品。在玛瑙坩埚中研目前对于W-B系化合物的合成方面已经进行了磨成粉体进行后续分析

5、。大量的工作,然而由于w.B系化合物种类较多,合成采用X’PertProMRD衍射仪(XRD)仪对粉体方法也多种多样,包括固相合成、金属热还原、熔盐相组成进行分析,采用S-3400N型扫描电子显微镜电解、气相沉积、浮区熔炼法、自蔓延高温合成、熔(SEM)观察合成产物的微观形貌。融金属浴中合成等[4-10]。以单质硼粉与钨粉为原料,在2结果与讨论高温下直接合成硼化钨材料,能够有效控制B/W比而得到较纯净目标产物。本工作采用固相合成法研究了硼2.1合成温度对产物的影响粉和钨粉在高温条件下的化学反应过程,考察了B/W高温反应后的样品表面

6、产生大量的裂纹,结构疏松摩尔比、合成温度、保温时间等对合成产物的影响。多孔,主要是B、w元素之间的偏扩散系数相差很大,无压烧结时发生Kirdendall扩散,形成扩散孔¨]。另1实验外样品体积发生膨胀,主要是因为在高温下W与B实验选用的原料为钨粉(粒度75m,纯度发生反应生成新的产物,生成物与反应物之间密度不收稿日期:2013.08—17基金项目:国家自然科学基金(51204043);中央高校基本科研业务费(N120402003)作者简介:曹晓舟,男,1979年生,博士,讲师,东北大学材料与冶金学院,辽宁沈阳110819,电话:0

7、24.83683176,E.mail:caoxz@smm.neu.edu.cn稀有金属材料与工程第43卷【5】MarkovskiiLVekshinaNBezrukETeta1.Porosh-【9]SertacYazici,BoraDerin./ntJRefractMetHIJ],2011,29(1):kovayaMetallugriya[J],1969,5(77):1390【6]Mab,shevVV'KushkhovHB,ShapovalVI.JApplElectro—【10]ShigeruOkada,KunioKudou,Tor

8、stenLundstrom.JapanJchem[J],2002,32:573ApplPhys[J],1995,34:226—231【7]OhmateN,NakamuraA,KoikeSeta1.JVacSciTechno],[11】ToshioK

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