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《苯并噻吩类有机半导体材料结构单元的合成【开题报告】》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、毕业论文开题报告高分子材料与工程苯并囉吩类有机半导体材料结构单元的合成一、选题的背景和意义近年来，有机光电器件以其成本低廉、大面积和可弯曲而被广泛关注，尤其是液晶和有机光电器件等可用于移动电子器件的显示部分。相对于传统的无机半导体材料和碳纳米管，有机材料具有易于通过分了裁剪调控材料性能，器件制备温度低，和柔性基底相容，可用于大面积显示领域等突出优势。尽管目前部分冇机半导体材料其光电性能已达到实用化程度，但仍然存在着许多挑战。要想真正实现工业化应用，发展新的性能更好的有机半导体材料仍然是本领域的重要研究内容。目
2、前报道的冇机半导体材料主要是基于芳香苯环和含硫、硒、氮等杂原子的五元芳香杂环形成的大共轨结构体系。通常利用更大的结构单元如蔡、恿、并二曝吩、并三囉吩、苯并嗥吩等来合成新型的冇机半导体材料。这些芳香环单元以不同的结合形式形成了结构不同、性质各异的半导体材料。其屮，苯并曝吩是一类重要的合成结构单元，利用其曝吩环的活性可以合成很多重要的有机半导体材料。然而，当曝吩环的Q-位和B-被占用时，苯并嗓吩便很难进行修饰。如果在英苯环上引入双甲基，便可以进行多种修饰，用其合成更多的性能优异的有机半导体材料。然而，FT前有关二
3、甲基苯并囉吩的合成很少报道，II难以获得，因而限制了其在冇机半导体材料合成及光电器件方面的应用。利用简单的步骤合成二甲基苯并噬吩，将有利于合成更多性能优异•的有机半导体材料，从而推动其在有机光电器件方面的应用。二、研究目标与主要内容（含论文提纲）研究口标：利用简单的四步反应合成二甲基苯并醱吩。研究内容：邻二甲苯在低温下双溟化，然后通过比较便宜的2■甲基・2■轻基・3■丁烘进行Sonogashira交联偶合反应，得到带烘醇键的化合物，再在强碱作用下凹流脱去端基得到炊化合物，进一步插硫关环得到二甲基苯并囉吩。三、
4、拟采取的研究方法、研究手段及技术路线、实验方案等本研究拟采取以下实验路线，见图1。邻二甲苯在低温下滉化，然后用比较便宜的2■甲基2軽基・3■丁块，在Pd,Cu催化剂作用下在碱性溶液屮进行Sonogashira交联偶合反应，得到带块键的化合物3,再在强碱作用下冋流脱去端基得到烘化合物3,进一步插硫关环得到5,6■二卬基苯并嗓吩。图1.5,6■二甲基苯并嗥吩的合成路线四、参考文献1.Heilmeier,G.H.;Zanoni,L.A.J.Phys.Chetn.Solids.1964,25,603.2.Dimitr
5、akopoulos,C.D.;Malenfant,P.R.L.Adv.Mater.2002,14,99.3.Podzorov,V.;Sysoev,S.E.;Loginova,E.;Pudalov,V.M.;Gershenson,M.E.Appl.Phys.Lett.2003,83,3504.4.Zeis,R.;Besnard,C.;Siegrist,T.;Schlockermann,C.;Chi,X.;Kloc,C.Chem.Mater.2006,1&244.5.Kelley,T.W.;Muyres,D.V.
6、;Baude,P.F.;Smith,T.P.;Jones,T.D.Mater.Res.Soc.Symp.Proc.2003,771,169.6.Menard,E.;Podzorov,V.;Hur,S.H.;Gaur,A.;Gershenson,M.E.;Rogers,J.A.Adv.Mater.2004,16,2097.7.Yamamoto,T.;Takimiya,K.J.Am.Chem.Soc.2007,129,2224.8.Ling,M.M.;Bao,乙Chem.Mater.2004,16,4824.9.
7、有机场效应晶体管和分子电子学研究进展[1]10.有机场效应晶体管及其集成电路研究进展[1]11.冇机单品场效应品体管[1]五、研究的整体方案与工作进度安排（内容、步骤、吋间）整体研究方案按照图1所示实验路线进行。具体研究进度如下所示：2010.11.01—2010.11.15化合物2的合成、纯化与表征；1Br2010.11.16—2010.12.05化合物3的合成、纯化与表征;2010.12.21—2011.1.15化合物2,3放大量及化合物4的合成、纯化与表征;Na2S,NMP,190°C5六、研究的主要特
8、点及创新点二甲基苯并曝吩是一种重要的有机半导体材料结构单元，利用简单的溟化及Sonogashira交联偶合反应得到含相邻块键和混的芳香化合物，在硫化钠的作用下插硫关环，从而得到二甲基苯并曝吩。对二甲基苯并囉吩可以进行多种修饰从而得到性能优异的冇机半导体材料。创新点：木研究的合成方法简单，分离提纯容易，产率高。
